技术编号:34764234
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体材料制备领域,具体的说是硫化铋/钒酸铋/二氧化钛异质结复合材料、制备方法及应用。背景技术.薄膜太阳能电池具有环境友好、寿命长、制作简单、操作安全、生产成本低等优点,薄膜太阳能电池的核心部分就是光阳极。n型半导体tio就是众多光阳极材料的一种,其成本不太高,在受热条件下也能保持较好的稳定性,因此目前经常被应用于光阳极复合材料的制备与改性中。自然界存在的tio晶型结构包括金红石型结构(rutile,带隙宽度.ev)、锐钛矿型结构(anatase带隙宽度.ev)和板钛...
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