技术编号:34812529
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有气隙的半导体结构的制备方法.交叉引用.本申请案主张美国第/,及/,号专利申请案的优先权(即优先权日为“年月日”),其内容以全文引用的方式并入本文中。技术领域.本公开关于一种半导体结构以及该半导体结构的制备方法。特别涉及一种具有一气隙的半导体结构以及该半导体结构的制备方法。背景技术.由于动态随机存取存储器(dram)的结构的简单性,与例如静态随机存取存储器(sram)的其他类型的存储器相比较,一dram可在每个芯片面积上提供更多的存储器胞。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。