技术编号：34863193
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明总体上涉及硅领域，并且更具体地涉及硅领域中新的且有用的系统和方法。.背景.硅(si)的高比容量使其成为有吸引力的电池电极材料。然而，大的体积膨胀和反应性仍然是开发si电极的障碍。多孔硅可以克服在电极中使用si的一些现有挑战。因此，在硅领域中存在对于新的且有用的系统和方法的需求。本发明提供了这样的新的且有用的系统和方法。.附图简述.图是系统的示意性表示。.图是方法的示意性表示。.图a、图b和图c是硅材料的实例的自顶向下扫描电子显微照片。.图a是包括形成簇的独立颗...
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