技术编号:34887477
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及单晶硅生产加工技术领域,具体而言,涉及一种碳化硅晶锭退火装置及碳化硅晶锭加工设备。背景技术.碳化硅晶体拥有大禁带宽度、高电子饱和漂移速率、高临界击穿场强和高导热率等优异物理性质,同时具备较高的化学稳定性和抗辐射等化学性质,这些特殊的物理化学性质使得碳化硅材料在高温、高频、高功率、抗辐射、抗腐蚀器件以及光电集成器件等方面具有广阔的应用场景。.在碳化硅晶体生长过程中,为了扩大单晶尺寸、提高单晶质量和减少晶体缺陷等目的,可以使生长界面呈现微凸状。由于需要生长界面微凸,所以导致生长...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。