技术编号:34892964
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体领域,更具体地涉及一种钛层-介质层刻蚀副产物处理方法。背景技术.在半导体干法刻蚀工艺中,根据待刻蚀材料的不同,可分为金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。对于金属刻蚀,主要有铝和钛刻蚀。在干法刻蚀过程中会产生反应副产物(polymer),反应副产物由光刻胶或刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物,尽管干法刻蚀过程中的腔室具有抽气作用,但是会存在着附着于刻蚀沟槽上(刻蚀沟槽的侧壁和/或底壁上)的一些反应副产物(即刻蚀过程的残留反应副产物)并不会被抽气抽出腔室,反应副产物在刻蚀完成后必须去...
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