技术编号:34906918
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。hemt器件及其制备方法技术领域.本申请涉及电路技术领域,尤其涉及一种hemt器件及其制备方法。背景技术.高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,hemt)具有高击穿电压、低导通电阻、高开关速度和高能量转换效率等优异性能;cmos具有集成度高和功耗低等优势,将hemt和cmos集成在同一衬底上,可以显著提高器件的综合性能,因此,与cmos单片集成的hemt器件(亦可称为互补型hemt)被越来越广泛地应用于电动汽车、电网、和电力电子等领域。....
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。