技术编号:34908971
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及半导体功率器件技术领域,尤其涉及一种用于功率开关器件的场板结构及功率开关器件。背景技术.在功率开关器件的结构设计中,为了提高器件耐压能力,通常会在器件中设置场板结构。例如,常规横向功率开关器件的核心结构除了包括源极、栅极以及漏极外,还设置了栅极场板。.然而,上述场板结构在提高器件性能的同时,也会引入寄生电容。尤其是对于大功率器件,其场板的面积更大,所引入的寄生电容更为显著。.寄生电容的增加会增大器件的开关损耗,从而影响功率开关器件的性能。因此,有必要对功率开关器件中的场板...
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