技术编号：34965999
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种新型栅极总线结构的形成方法。背景技术.由于栅极总线的宽度较大，当漏极电极被反向偏置时，延伸自mosfet元胞形成通道基区和高浓度基区的耗尽区在栅极总线的两端可能会导致无法扩展连接，导致两端耗尽层电场局部集中，耐压降低，因此为了提高器件的耐压能力，会在栅极总线的正下方形成了一个高浓度p型区域，但是p型区域会存有寄生二极管，导致降低器件可靠性，以及导致p型区域正向不导通。现提出一种可以解决反向耐压问题，增加导通区域面积，提高芯片面积利用率的新型栅极总线结构...
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