技术编号:34968128
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种功率半导体器件及其制作方法。背景技术.功率半导体器件可以分为内侧有源区和边缘终端区,其漏电流自然也分为内侧有源区的漏电流和外侧终端区的漏电流。器件阻断状态时,电场在边缘终端区发生畸变,存在电场强度极大值。而边缘终端区并非通流区域,外侧包裹钝化材料,使其散热能力大大降低。因此,器件阻断时漏电流集中、产热大,无直接接触的电极、散热差,有可能成为阻断状态芯片内的薄弱点。而对于不同电压等级、不同类型的芯片,有源区和终端区都有可能成为阻断状态的薄弱点。发明内容...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。