技术编号:34968264
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体器件。背景技术.作为用于电功率控制与转换的功率半导体器件,sic沟槽mosfet(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)已广为人知,其为了保护栅极绝缘膜免受大电流、大电压影响,通常采用在栅极沟槽的底部设置电场保护层等耐压措施。.例如,作为与栅极沟槽底部的电场保护层对应的结构,专利文献公开了,在元胞区(cell area)a的第一沟槽的下方位置设置有p型的第一浮置区域;专利文献公开了,作为栅极沟槽底...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。