技术编号：34983410
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种挡板、防溅装置、化学机械研磨机台及研磨废液防溅方法。背景技术.随着半导体技术的快速发展，半导体器件尺寸不断缩小、集成度不断提高，器件各层表面的平坦程度要求越来越高。化学机械研磨(chemicalmechanicalpolish, cmp)作为一种全局平坦化技术被广泛应用。cmp主要是利用化学药品与晶圆表面的材料发生化学反应及研磨颗粒对晶圆表面的物理摩擦作用共同实现晶圆表面的平坦化。在晶圆的研磨过程中，晶圆被研磨头压合在研磨垫表面，并在研磨头的带动下与研...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。