技术编号：35025462
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及单晶金属薄膜的制备方法，特别涉及一种适用于单晶金属薄膜制备的蓝宝石晶圆衬底的退火方法。背景技术.一般而言，单晶具有比多晶更好的电学和机械性能，并且单晶薄膜材料的制备是材料科学研究中非常重要的领域之一。单晶铜薄膜具有优异的综合性能，因为它消除了电阻产生和信号衰减的来源——晶界，使其具有出色的电学和信号传输性能，以及良好的塑性加工性能；更具有优异的耐腐蚀性和显著的抗疲劳性；孪晶的消除使其表面更加光亮。因此，单晶铜薄膜在国防、民用电子，通信和网络等高科技领域具有很高的应用价值。.近年...
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