技术编号：35080020
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种多级沟槽集成肖特基二极管的功率器件单元结构。背景技术.在宽禁带半导体材料中，gao具有.ev的禁带宽度、mv/cm的理想击穿电场强度和高达的bfom值，大约是gan的倍，sic的倍。因此在如今具有更高功率密度以及更低功耗需求的电力电子应用中，gao材料具有更为重大的研究意义以及更为广阔的市场应用前景。与n型掺杂的容易程度相反，目前还没有在gao中成功实现p型掺杂的报导，这使得gao相较于可进行双极型掺杂的材料...
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