技术编号：35122011
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。基于惯性静电约束聚变的同轴柱形d-d中子发生器技术领域.本发明涉及中子发生器技术领域，具体为一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形d-d中子发生器。背景技术.中子源是开展中子照相、中子活化分析、中子爆炸物检测等中子应用技术所需的重要装置，在反应堆点火、核材料检测、航空航天元件(如航空发动机叶片、航天器及导弹点火装置)无损检测及反恐等方面有重要的应用价值。中子源的主要类型有反应堆中子源、同位素中子源和加速器中子源。.反应堆中子源，利用原子核在裂变过程中释放的裂变中子。反应堆中子源中子通量极高，是...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。