技术编号:35135281
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种基于横向有源区效应的闪烁噪声模型及其提取方法。背景技术.随着目前超大规模集成电路中模拟和射频电路的大量使用,影响电路模拟和射频性能的各种半导体器件的噪声特性及其建模仿真愈来愈引起人们的重视,能够准确全面地表征集成电路的最小单元器件的噪声特性已经成为业界专业人士努力追求的目标。在目前大量使用模拟和射频电路的超大规模集成电路中,半导体器件不管是主动器件像mosfet、bjt还是被动器件像电阻r等都会产生各种噪声。按照最基本的定义,噪声可以理解为干扰正常信...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。