技术编号:35144826
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及单晶炉的技术领域,尤其涉及一种单晶炉浸硅预警系统。背景技术.单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备;在作业过程中,拉晶一共分为熔料、调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾、加料、复投等多个阶段,在不同阶段水冷屏会进行上升下降;.单晶炉包括水冷屏、导流筒、炉体和升降装置,升降装置设于炉体外部,水冷屏和导流筒设于炉体内部,导流筒与水冷屏连接,升降装置与水冷屏连接以带动水冷屏和导流筒升降。.然而,水冷屏距离液面较...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。