技术编号:35271159
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及有机场效应晶体管技术领域,特别是涉及二维晶态薄膜及其制备方法及有机场效应晶体管阵列。背景技术.现有的图案化晶体制备方法主要集中于材料的一维阵列化研究方面,材料二维图案化的组装方法相对较少,这其中自上而下的薄膜刻蚀技术与耗时较长的喷墨印刷技术研究较多,快速且连续印刷生长二维图案化晶体阵列的研究相对较少。此外,在现有的制备二维生长晶体阵列方法中,溶液拖尾会产生毛细管桥回缩现象,导致出现润湿区域晶体填不满的情况,存在晶体的形貌保真度不高的问题。发明内容.本发明第一方面的一个目的是要提...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。