技术编号:35274614
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开的实施例总体涉及形成氧化锗材料的方法。具体地,本公开的实施例涉及形成无缺陷氧化锗缝隙填充的方法。背景技术.氧化锗在半导体制造中是越来越重要的材料。锗是族元素,类似于硅,并且因此含锗材料通常具有与其硅基类似物类似的性质。鉴于在半导体制造中的氧化硅的普及,在各种处理方案中存在对于氧化锗、其性质以及形成氧化锗材料的方法的增加关注。.一种关注方案是以缝隙填充材料来填充基板特征(例如,通孔、沟槽、等等)。不幸地,典型缝隙填充方法通常造成含有包括接缝与空隙的缺陷的缝隙填充材料。缺陷会导致在...
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