技术编号:35278641
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及具有在半导体基板之上形成的电阻性场板的高耐压构造的半导体装置及其制造方法。背景技术.对于高耐压ic等高耐压构造的半导体装置,多数具有使用了电容性场板、电阻性场板的高耐压构造。作为具有使用了电阻性场板的高耐压构造的半导体装置,例如具有专利文献所公开的半导体装置。.专利文献所公开的半导体装置通过在设置于电阻性场板之下的绝缘膜形成凹凸形状,从而使电阻性场板的电阻值升高,降低耐压保持时流动的泄漏电流及耗电量。.专利文献:日本特开-号公报.专利文献所公开的...
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