技术编号：3528889
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制备配体和铜络合物的方法，所述配体和铜络合物可用于通过原子层沉积或化学气相沉积来沉积铜。背景技术原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)方法可用于将金属沉积到基物上。在ALD方法中，将在上面沉积金属的基物放置于真空室中。将挥发性金属络合物导入真空室并使之吸附到基物上。然后将过量的、未被吸附的金属络合物蒸气从真空室里泵出或清除。然后使吸附的金属络合物暴露于第二试剂中，该第二试剂使金属络合物反应以生成金属。在由铜(II)络合物制备铜膜的过程中，第...
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