技术编号:35291050
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请属于半导体技术领域,尤其涉及一种鳍式场效应晶体管阻隔结构的形成方法、阻隔结构及半导体元件。背景技术.finfet被称为鳍式场效应晶体管,是一种新的互补式金属氧化物半导体晶体管。finfet中通常在鳍形成结构工艺fin loop中采用双扩散区切断结构(double diffusion break,ddb)和单扩散区切断结构(single diffusion break,sdb)来实现有源区的隔离;在多晶硅栅结构工艺poly loop中采用栅极切割结构(cut-poly-gate,cpo...
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