技术编号：35365472
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及一种半导体装置。背景技术.近年来，为了实现低碳社会或脱碳社会的努力活跃化，在车辆中，也削减co的排放量或改善能源效率，为此而正在进行与有关电动汽车的研究开发。.具有高密度、低功耗和高速大驱动能力等特点的双极金属氧化物(bimos)半导体装置已被公开，其中同时使用双极晶体管(bjt)和金属氧化物半导体(mos)晶体管，如专利公布号cn a。这样的半导体装置具有四个端子，包括漏极、源极、栅极与作为控制端子的基极。在具有所述四端子的半导体装置中，会在沟道区与漏...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。