技术编号:35376396
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明的实施方式涉及碳化硅晶体生产设备技术领域。更具体地,本发明涉及一种坩埚及具有其的碳化硅单晶生成设备。背景技术.碳化硅是一种具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高载流子饱、高抗辐射能力及良好的化学稳定性的第三代半导体。目前,碳化硅单晶生长主要方式为在坩埚内进行物理气相沉积法。.在进行碳化硅单晶生长时,难点在于如何降低晶体中的n元素,而n元素主要来源于空气。因此,需要将坩埚生长腔室内的空气抽走,并且由氩气(ar气)替代。此换气过程依赖于坩埚材质的透气性以及坩埚各组件间的间隙情况,并且往往...
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