技术编号：35385026
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及光伏制造技术领域，尤其涉及一种法兰结构以及炉管。背景技术.目前的光伏电池片制造设备，比如扩散炉、退火炉、氧化炉、lpcvd(低压化学气相沉积，low-pressure chemical vapor deposition)、pecvd(等离子体增强气相沉积，plasma-enhancd chemical vapor deposition)等设备的源扩散工艺温度在℃以上，在此高温下，炉口使用的是常规的炉门、密封圈以及内外密封水冷法兰的密封结构，法兰上需要在其侧面加工出来环形...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。