技术编号:35393432
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。p型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法技术领域.本发明涉及半导体集成电路技术领域,特别是涉及一种p型横向扩散金属氧化物半导体器件,还涉及一种p型横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法。背景技术.高压集成电路是功率电子学的重要领域,它将高压功率器件与信号处理系统以及外围接口电路、保护电路、检测电路等集成到一片芯片上,不仅提高了系统的可靠性、稳定性,而且减少了系统的功耗、体积、重量和成本。在高压集成电路中,当高侧电路的电位为高压时,就需要电平移位技术将低压信号传送到高压部分从而驱动高压端功...
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