技术编号：35400105
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于碳化硅破碎研究技术领域，涉及一种无金属污染的碳化硅合成料块破碎装置。背景技术.碳化硅(sic)是一种具有宽禁带、高临界电场和高饱和迁移率的第三代半导体材料，在功率器件领域极具优势，广泛应用于新能源汽车、光伏发电、铁路交通及电力系统等领域。.然而，由于sic的物理和化学性质稳定，使得sic晶体生长极为困难。目前用于制作sic器件的单晶衬底主要由物理气相传输(pvt)法制备，原料为sic粉料，粉料的纯度、粒径、晶型等参数对pvt法生长sic单晶晶体质量乃至后续制作的器件质量都有一定...
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