技术编号:35413450
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种用于gan器件的p型接触层制作方法和垂直gan器件技术领域.本发明涉及垂直gan器件技术领域,具体涉及一种用于gan器件的p型接触层制作方法和垂直gan器件。背景技术.随着gan材料生长技术的提高,垂直gan基场效应管的研究越迅速被推进。垂直gan器件由于拥有大饱和电流、高击穿电压和电流崩塌等优势,能很好的满足大功率开关的需求。.现有垂直gan器件的外延结构如图所示,其包括衬底,衬底的顶面从下往上依次堆叠有u-gan层、ngan层、ngan层、pgan层和ngan层。对于垂直ga...
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