技术编号：35466752
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及光学、半导体材料领域，更具体地，涉及一种光学散射测量中红外低吸收材料的厚度测量方法。背景技术.在半导体行业中，对半导体纳米薄膜材料的厚度测量提取，在制造业中对于提高产品质量和产量方面发挥着关键的作用。光学散射测量，与传统的原子显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜相比，有着速度快、成本低、无接触、无损和易于集成等优势，因而在先进工艺监测和制造领域中获得了广泛的应用。光学散射测量并非一种“所见即所得”的测量方法，其需要在测量得到的光谱中提取待测结构参数，其本质是一种基于模型的测量方...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。