技术编号:35499949
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。提升锗硅机台wph的方法技术领域.本发明涉及半导体制造技术领域,特别是涉及一种提升锗硅机台wph的方法。背景技术.随着mosfet的缩小,为了提高mosfet的性能,pmos引入嵌入式锗硅工艺,该工艺通过施加应力来提高空穴的迁移率,从而提高pmos器件性能。嵌入式锗硅工艺被广泛应用于nm及以下技术中的应力工程,利用锗、硅晶格常数的不同所产生的应力,嵌入在源漏区,提高pmos空穴的迁移率和饱和电流。.在版图设计中,现有nm工艺通过对低压(lv)区域的pmos进行sige应变材料的源漏...
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