技术编号:35502848
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。sic半导体装置技术领域.本申请与年月日在日本特许厅提交的特愿-号相对应,该申请的全部公开内容通过引用并入至此。本发明涉及sic半导体装置。背景技术.专利文献公开了包含sic基板以及形成在sic基板上的sic外延层的sic-sbd。专利文献公开了一种半导体装置,其包含sic基板、以及在sic基板上、在与sic基板的厚度方向垂直的方向上交替形成的n型漂移区域和p型柱状区域。.现有技术文献.专利文献.专利文献:美国专利申请公开第/...
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