技术编号：35640247
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型属于具体涉及一种无污染的物料充装系统。背景技术.半导体工艺形成二氧化硅氧化层的方法主要有热氧化(针对能形成自身稳定氧化层的半导体材料)、低压化学气相淀积(lpcvd)、等离子增强化学气相淀积(pecvd)和常压化学气相淀积(apcvd)等，其中由于常压化学气相淀积(apcvd)要求的气流量大，且工艺产生颗粒相对较多，目前大多数半导体工艺已很少使用。.正硅酸乙酯(teos)用于低压化学气相淀积(lpcvd)时，正硅酸乙酯(teos)从液态蒸发成气态，在～℃、mt...
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