技术编号:35658847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有多层级漏极选择电极的三维存储器器件及其形成方法.相关申请.本申请要求年月日提交的美国申请序列号/,的优先权的权益,该申请是年月日提交的美国申请序列号/,的部分继续(cip)申请,这些申请的全部内容出于所有目的以引用方式并入本文。技术领域.本公开整体涉及半导体器件的领域,且具体地讲涉及具有电连接位于不同层级处的多个漏极选择层级导电层的漏极选择层级接触通孔结构的三维存储器器件及其形成方法。背景技术.包括每个单元具有一个位的三维竖...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。