技术编号:35701970
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及电池技术领域,具体涉及一种背面采用双层隧穿层结构的topcon电池及其制备方法。背景技术.目前n-topcon电池背面导电浆料具有一定的腐蚀性,但腐蚀能力较难控制,为了防止导电浆料烧穿多晶硅层破坏隧穿层,从而造成巨大的负荷,多晶硅层需要沉积达到一定的厚度防止其烧穿。光寄生吸收随厚度增加而增加,多晶硅层过厚会造成电池的短路电流过低,导致电池的转换效率降低。故而,将金属化部分多晶硅层厚度控制在nm以上,高掺杂浓度提高金属化的接触能力,非金属部分厚度控制在-nm,适当降低...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。