技术编号:35707679
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。sgt mos器件的终端保护环结构的制造方法技术领域.本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种sgt mos器件的终端保护环结构的制造方法。背景技术.sgt(shielded gate trench屏蔽栅沟槽)mos器件包括形成于mos器件外延层中的sgt结构,该sgt结构将外延层中原先的三角形电场变为类似压缩的梯形电场,从而能够使得外延层的厚度减薄,降低导通电阻。.相关技术中sgt mos器件包括形成器件结构的元胞区和起到截止作用的终端耐压区,终端耐压区中形成有保护环结构。但是...
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