技术编号：35740395
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及硅制备技术领域，具体涉及一种高纯片状硅生产系统及制备方法。背景技术.高纯片状硅具有独特的性能，在锂离子电池负极材料、传感器、催化剂、航空航天表面材料等众多领域具有广泛的应用前景，目前，常见的片状硅可以采用化学气相沉积法、化学还原法、金属辅助化学蚀刻法等方法来实现，其中化学还原法因其成本低，应用前景较佳，但是目前化学还原法中，酸洗难度会发生变化差异，副反应较频繁，同时还原温度控制不可靠，导致硅产量不稳定。发明内容.针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种高纯片状硅生产系统及制备方法以...
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