技术编号：3575882
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及低聚噻吩-亚芳基衍生物(oligothiophene-arylene derivative)和使用该衍生物的有机薄膜晶体管。更具体地，本发明涉及以下的低聚噻吩-亚芳基衍生物，在该低聚噻吩-亚芳基衍生物中具有n型半导体特征的亚芳基被引入至具有p型半导体特征的低聚噻吩中，由此同时表现出p型和n型半导体特征。背景技术 普通有机薄膜晶体管(OTFTs)包括衬底、栅电极、绝缘层、源电极/漏电极和沟道层(channel layer)。有机薄膜晶体管分为底部接...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。