技术编号：35849022
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种用液相法制备碳化硅的方法和制得的碳化硅。背景技术.液相法碳化硅晶体生长方法由于其晶体位错密度低、长晶成本低等优势，近年来逐渐受到业内关注。液相法制备工艺采用硅或硅合金熔体从坩埚中溶解碳，然后在籽晶生长面进行重结晶，从而完成晶体生长。.在生长碳化硅晶体时，往往需要掺杂元素，比如掺杂氮。但现有的原料熔体体系在生长碳化硅晶体时，其流场不够合理，导致生长晶体的液面位置处，中心熔体的对流较弱，导致掺杂不均匀的问题，进而导致碳化硅晶体质量较差。.鉴于此，...
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