技术编号：35906161
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及碳化硅外延炉技术领域，具体为一种碳化硅外延炉生长单元。背景技术.碳化硅具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料。碳化硅外延生长已经实现了商业化，其中德国aixtrongww是目前常用的大尺寸、多片式生长碳化硅外延设备。.现有的碳化硅外延炉设备体积较大，大多都是直接放置在地面上，想要将其移动十分不便，大大提高了维护成本，实用性较差，由此我们提出该新型来解决以上问题。实用新型内容.针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种...
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