技术编号：35907853
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。使用半导体结构的图像切片层析成像的参数化x射线散射测量技术领域.本公开的各种示例一般涉及在包括半导体结构的晶片上执行的x射线散射测量。各种示例具体涉及使用从层析成像测量获得的三维体积图像来参数化这种x射线散射测量。背景技术.半导体结构的制造通常依赖于对生产线的各个工艺步骤的精确监测：在生产线的工艺步骤中，即使与期望的结构特性存在微小的偏差也可能导致整体产量的下降。通常希望在生产线的早期发现工艺偏差。.为此，可以使用在线晶片计量。这里，在至少一些制造工艺步骤(在线质量检查)之间插入计量步骤，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。