技术编号：35934464
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种下电极馈入装置和半导体加工设备。背景技术.等离子体刻蚀机可用于进行刻蚀工艺，例如去除半导体晶圆上预先设计要求的多余材料，生成具有相应工艺要求的沟槽，为后续工艺提供基础。等离子体刻蚀机的工艺腔室内处于真空状态，刻蚀工艺前，待加工的晶圆放置在卡盘组件上，进行刻蚀工艺时，工艺气体通过腔室顶部的进气装置输送至工艺腔室中，并通过向设置于腔室顶部的上电极(例如射频线圈)加载射频功率，将工艺气体电离形成等离子体，并且卡盘组件通过下电极馈入装置被加载射频功率，以吸...
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