技术编号:35958387
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开实施例涉及半导体领域,特别涉及一种半导体结构及其制造方法。背景技术.随着动态存储器的集成密度朝着更高的方向发展,在对动态存储器阵列结构中晶体管的排布方式以及如何缩小动态存储器阵列结构中单个功能器件的尺寸进行研究的同时,也需要考虑小尺寸的功能器件对半导体结构整体电学性能的影响。.利用垂直的全环绕栅极(gaa,gate-all-around)晶体管结构作为动态存储器选择晶体管(access transistor)时,其占据的面积可以达到f(f:在给定工艺条件下可获得的最小图案尺寸)...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。