技术编号：35960434
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及碳化硅晶片技术领域，具体来讲，涉及一种高品质碳化硅衬底及半导体器件。背景技术.目前，碳化硅晶体面临的两大问题：、质量问题，影响碳化硅器件端的良率、性能和可靠性；、成本问题，影响碳化硅在终端的应用。其中，材料质量导致的材料和器件良率损失也是导致碳化硅晶体目前成本高、应用难的主要原因。.碳化硅晶体的质量问题包括两类：一是缺陷问题导致的材料质量和良率问题，这是显性质量问题；二是一致性问题导致的材料良率和器件性能可靠性问题。.目前，由于生长特征面是升华法制备sic晶体时的固有属性...
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