技术编号:35966234
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体行业技术领域,具体是一种惰性气体保护回收的方法和装置。背景技术.晶体生长工段属于半导体工业的上游、其工艺包括单晶直拉法生长晶圆、cvd法生长碳化硅晶圆,在该工艺中,需要大量使用高纯惰性电子级纯度的惰性气体,如氩气、氮气、氦气等作为保护性气体。目前市场上的惰性气体回收装置,均主要针对太阳能行业的单晶硅生长炉,没有对半导体行业的晶体生长开发专门的工艺流程和设备,且半导体行业硅晶体生长的气体使用情况与太阳能行业硅晶体生长的气体使用情况大不相同,若采用传统的气体回收工艺,在每个厂上...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。