技术编号:35975595
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本说明书实施例涉及晶圆处理技术领域,尤其涉及一种单片晶圆湿法腐蚀方法与设备。背景技术.随着集成电路制造技术的飞速发展,需要对晶圆表面的氮化硅薄膜有效去除。在浅沟槽隔离工艺中,采用磷酸对氮化硅进行湿法腐蚀。该工艺通常在槽式湿法腐蚀设备中进行。但槽式湿法设备会因化学液在晶圆间流动而造成腐蚀缺陷;此外,由于化学液使用寿命,以及含水量在高温环境下挥发造成的不稳定,给精确控制腐蚀速率与腐蚀选择比造成很大困难。本发明提出一种单片式磷酸湿法腐蚀氮化硅的设备以及工艺方法,以克服现有槽式湿法腐蚀设备带来的工...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。