技术编号：35999296
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体集成电路，特别是涉及一种参考电路；本发明还涉及一种参考电路的偏置方法。背景技术.如图所示，是现有存储器的存储单元的电路结构示意图；如图所示，是现有存储器的存储单元的剖面结构示意图；现有存储器如闪存包括多个存储单元，由多个所述存储单元排列形成存储器的阵列结构。.各所述存储单元都采用分离栅浮栅器件。.如图所示，所述分离栅浮栅器件包括：对称的第一源漏区a和第二源漏区，位于所述第一源漏区a和所述第二源漏区b之间的多个分...
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