技术编号:36002092
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。沟槽栅igbt器件、制作方法及仿真方法技术领域.本发明涉及功率半导体技术领域,尤其涉及沟槽栅igbt器件、制作方法及仿真方法。背景技术.igbt(insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)是由bjt(双极结型三极管,bipolar junction transistor)和mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管,metal oxide semiconductor field effect transistor)组成的复合驱动式功率半导体器件,...
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