技术编号：36039544
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种用于igbt模块封装的静电屏蔽装置技术领域.本实用新型涉及半导体器件制造领域，具体为一种用于igbt模块封装的静电屏蔽装置。背景技术.绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)是由双极型三极管(bipolar junction transistor，bjt)和绝缘栅型场效应管(metal oxide semiconductor，mos)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。