技术编号:36083745
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型实施例涉及半导体制造领域,特别涉及一种晶圆干燥装置。背景技术.化学机械抛光(cmp)是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。cmp工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面不同材料的去除,从而达到晶圆表面纳米级平坦化,使下一步的光刻工艺得以进行。.本实用新型基于hhqk机台结构设计,其中,cmp的干燥工序在机台处对应有干燥模块,且作为cmp的最后一道工序,干燥的结果直接影响了晶圆的安全,如在特殊制程中,干燥工序出现问题会导致产品出现报废等问题。.具体的...
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