技术编号：36165265
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体器件领域，主要涉及一种新型缓冲层结构，适用于氮化镓和氧化镓等材料的功率器件，特别是基于ⅲ‑ⅳ族半导体材料多层复合结构的高电子迁移率晶体管。背景技术.传统硅(si)材料器件经过多年的发展，其性能已经接近硅的理论极限，很难再有新的突破。由于新能源汽车、光伏发电、信息通信等领域的迅速发展，对功率器件的需求日益增长，这也促使了ⅲ‑ⅳ族化合物半导体器件快速兴起。异质结的极化效应可以诱导产生具有高迁移率、高密度的二维电子气；此外ⅲ‑ⅳ族半导体材料禁带宽度更大，拥有更大的临界击穿场强...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。