技术编号：36252840
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种氮化钛基复合电极和顶发射oled器件及其制备方法技术领域.本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种氮化钛基复合电极和顶发射oled器件及其制备方法。背景技术.硅基oled器件由于其基板材料的特殊性，可以更好地集成具有金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,cmos)驱动电路的芯片；并且，硅基oled器件以其集成度高、体积小和功耗低等优点，逐渐成为新型显示尤其是微显示领域的较佳选择。然而，传统硅基oled器件以si或薄层金属修饰的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。